５０GeVリング入射用セプタム電磁石

　ここで紹介する対向磁場を用いたセプタム電磁石は、周回軌道側にも逆向きの磁場を発生させて、周回軌道と取り出しビームの軌道を分離するものである。セプタム導体を挟んで等しい大きさの逆向きの磁場によって、セプタム導体に働く電磁力が相殺されるため、セプタム導体に力は働かない。また、漏れ磁場も相殺されるため、精度の高いセプタム磁場を実現できる。（現在KEKより特許出願中）

　この場合、周回軌道側の逆向きの磁場は、上流と下流に設置された２台の補助バンプ電磁石で相殺され、周回ビームの軌道を乱すことはない。また、この２台の補助バンプ電磁石は、入射ビームの軌道を周回ビームとは逆の方向に偏向させるため、ビームの取り出し角を大きくする利点がある。このため、同じ取り出し角度に対して補助バンプ電磁石を含めた磁石全体の長さの合計は、通常のセプタム電磁石と変わらず、とくにセプタム電磁石本体の長さは、従来型のセプタム電磁石の半分になる。

　この新しい原理により、50GeVリング入射用に、薄くて強力なセプタム電磁石が製作可能となった。その結果、セプタム導体を挟んだ、周回ビームと入射ビームの双方の有効スペースを十分に取ることにより、ビーム損失の少ない入射システムの設計が可能となった。